应表面科学领域的国际著名期刊《表面科学报道》特邀,安徽大学物理与材料科学学院特聘教授何刚撰写了题为“铪基高介电常数材料与III-V族半导体基底的界面化学工程”(Interface Engineering and chemistry of Hf-based high-k dielectrics on III-V substrates)的长篇综述,于2013年3月发表。据了解,何刚教授是该期刊第一单位和第一作者均为大陆地区的第四位作者。作为表面科学领域的顶级期刊,《表面科学报道》由世界上最大的科技与医学文献出版发行商之一荷兰爱思唯尔科学公司(Elsevier Science)创办。该期刊不接受自由投稿,每期只发表1-2篇论文,都是特邀表面科学领域杰出科学家撰写论文。该期刊近五年的平均影响因子高达095。何刚教授的综述就近年来新型铪基高介电常数材料和III-V族高迁移率沟道材料的界面行为及其相关器件的研究进行了系统梳理,为该领域的研究提供了最前沿的研究资料,也为微电子半导体等相关领域的技术开发起到实际推动作用。该综述也对何刚教授课题组已发表的最新研究进展作了总结。何刚课题组通过金属有机化合物化学气相沉积和原子层沉积的方法,生成具有自清洁行为的目标氧化物,解决了学界一直以来采用化学方法难以清除表面氧化物的难题。这种沉积方法有效控制了高介电常数栅极材料和III-V族半导体基底叠层栅的多界面态行为,改善了金属氧化物半导体器件的电学性能,为今后高电子迁移率器件的微型化和高速化的发展奠定了基础。据悉,这种改进可以运用到极端条件下的通讯、电子产品、航空航天等领域,可以提升电子器件如电脑、单反相机的处理速度,改善航空航天探测器的性能等。