《电子与封装》,在中文类,啥核心期刊也不是的。就是普通期刊。
中文核心期刊,业界认可的主要是北大中文核心期刊和南大核心(社科类)收录的。电子与封装不在其中。
选择好的期刊是很重要的,质量问题,编辑的态度问题,以及被认可的问题,版面费问题,这些都要考虑的,汉斯出版社的官方网站上可以直接了解到这些内容的
投稿技巧主要是可以提升文章的审核通过率详细了解期刊的收稿范围文章格式严谨内容完整减少错别字降低引用率
注意辨别期刊的真伪论文发表,首要的问题就是期刊的真伪鉴定问题。目前市场上很多的非法期刊,让人防不胜防。具体做法:我们拿着期刊名称去新闻出版总署的网站上进行检索系统,凡在检索系统里检索不到的期刊,一般都是非法期刊。所以,如果不知道刊物是否正规,不妨将刊物名称输入检索一下,如果检索不到,自然就是假的。 注意发表论文的防由于期刊发表行业比较混乱,什么样的机构与人员都有。很多人由于在发表期刊时,不注意而导致自己。现在该行业惯用的术主要有假冒期刊,把文章发表的赠刊上,直接拿钱跑人等。因此,如果你在网上发现一下类型的广告,千万不要相信:如果对方只留手机号的,请不要轻易相信。如果对方只提供个人账户汇款的,请不要轻易相信。如果对方明显只有一个人的,请不要轻易相信。如果对方承诺包写包发的,请不要轻易相信。 论文发表注意时间和期刊的要求规定单位评职称也好,研究生毕业也好,对论文发表的时间都是有要求的。现在很多的学术期刊,排版得很晚,比如一些核心期刊杂志,在2011年8月份就开始征集到了2012年的1月份的文章了。也就是说,作者8月份投稿,文章要在2012年1月份才能见刊,跨越时间很长了。如果是年底评职称,自然要错过递交材料的时间了。所以论文发表前,不妨先咨询下刊物的排版时间,尽量选择能早点出刊的杂志。 另外,很多单位对刊物也有一定的要求。比如大部分刊物都要求刊物是省部级以上的。那样,如果刊物的主管主办单位为一般的县市级单位,那刊物可能就不管用了。还有单位要求发专业相关的期刊,比如评工程师发到教育类的刊物上,或教师职称发到工程类的期刊上,那样的学术成果可能会不被算数,尽管刊物是没有问题。还有单位对论文的字符数也有一定的要求,大部分单位是要求2000字以上,也有单位是要求3000字以上。还有单位对发表论文的数量也有要求,高级职称一般是要求3篇,中级是要求2篇,当然也有地区要求是有就可以。
期刊发表的选择是否恰当,对文稿是否能顺利发表起着决定性作用。所以,作者一定要慎重选择相应的期刊投稿。一般来讲,选择期刊应注意以下几个方面:(1)论文的内容要与期刊的学科内容相一致或相关。(2)论文的体裁必须适合所投期刊。(3)论文的学术质量要与期刊的总体学术水平相适应。(4)注意期刊对版面费的要求。( 5 )正确对待编辑的修改建议
在电子产品微型化、多功能化的发展趋势下,单个焊点所承载的电流密度和焊点的服役温度与日俱增,这就给微电子封装焊点的可靠性带来了巨大的挑战。电迁移失效作为微电子产品一种新的失效形式,而逐渐引起广泛的关注。电迁移效应的物理本质是在电子风力驱使下,焊点中的原子沿着电子流方向由阴极不断向阳极迁移的现象。 电迁移效应加速电子元器件的失效,缩短了电子产品的有效使用寿命,严重的影响了微电子封装焊点的可靠性。 基于以上研究,本文采用引线对接焊点为研究对象,在排除电流拥挤效应和焦耳热效应对电迁移效应造成干扰的前提下,首先研究了在78×10~4A/cm~2电流密度、100℃和125℃条件下加载对Cu/Sn-0Ag-5Cu/Cu焊点可靠性的影响。结果发现电流加载下阳极和阴极界面IMC的生长呈现明显的极性效应,阳极界面IMC的生长被增强,阴极界面IMC的生长被抑制。 认为是Cu原子的扩散主导界面IMC的生长,在电子风力、化学势梯度和背应力三者的综合作用下,阳极界面IMC的生长与加载时间呈抛物线关系。焊点的抗拉强度随着加载时间迅速下降,断裂模式由纯剪切断裂转为微孔聚集型断裂,并最终向脆性断裂转变,断裂位置由钎料中向阴极界面处转移。 作为对比分析研究了Cu/Sn-0Ag-5Cu/Cu焊点在100℃、125℃、150℃等温时效对焊点可靠性的影响。结果表明界面IMC随时效时间的延长而不断生长,时效温度越高界面IMC的生长速率越大,约为相同温度下电迁移试样阳极界面IMC生长速率的1/30。时效时间延长,焊点的抗拉强度下降,其下降速率约为相同温度下电迁移试样的1/9。高温长时间时效,界面处有Kirkendall空洞出现。焊点的断裂模式由纯剪切断裂变为微孔聚集型断裂,但断裂位置始终位于钎料中。同时还研究了Cu/Sn-0Ag-5Cu/Ni焊点在130℃等温时效过程中界面IMC的生长情况,发现母材Ni侧的界面IMC的生长速率比母材Cu侧稍慢,界面IMC的成分十分复杂。最后对Cu/Sn-9Zn/Cu焊点在78×10~4A/cm~2电流密度、125℃加载条件下的电迁移现象进行了研究,发现了阴极和阳极界面IMC都增厚,且阴极界面IMC生长速率更大的异常现象。 分析界面IMC成分后认为,是由Sn原子的扩散主导IMC的生长导致的
一、稿件投到哪里? 请参照期刊最近一期中各栏目每页页眉上的投稿信箱或责编信箱。投稿信箱依此为准,杂志上的责编信箱是法定的投稿信箱,稿件一定要根据内容,投对栏目。 二、投稿格式如何? 正文用TXT格式,若有图片须标明图号。图片直接抓为无损的BMP格式或高画质JPG格式并打包压缩为ZIP作为附件发送。无论新老作者,稿件正文末尾均要注明作者详细联系信息和通讯地址。 三、稿费标准如何? 稿费一般不低于100元/千字,特稿特优。对于文字方面问题比较多的稿件,如果决定采用,将适当降低其稿费标准。 四、答复期限如何? 一般在投稿后三周内答复,最长不超过1个月(法定时间)。如果逾期没有收到答复,作者可自行处理其稿件。 五、一稿多投谁负责? 如果在1个月内的某个时点稿件被它刊决定采用而造成一稿多投,责任在作者一方。扣发作者相应稿费。如果逾期没有得到回复,而在逾期后出现一稿多投,责任在编辑一方。稿费照发。 六、稿费、样刊何时寄出? 稿费和样刊及采用通知书一般在期刊发行后1个月内寄出。遇特殊节日或活动,也可能有所延迟,但不超过2个月。
个流程我知道哈,首先呢编辑审核文章(审核时间一般在1-2日,如果快的话当天也能审核完毕),然后审核通过后就接着安排论文发表的期刊了,同时杂志社会给你快递录取通知书了,拿到通知书了就可以和杂志社核实了。这方面壹品优刊网做的还是不错的,我朋友刚在那发表完文章,你要是有需要可以追问我,我帮你问问!
中文核心期刊,业界认可的主要是北大中文核心期刊和南大核心(社科类)收录的。电子与封装不在其中。
封装
电子信息工程是一门应用计算机等现代化技术进行电子信息控制和信息处理的学科,主要研究信息的获取与处理,电子设备与信息系统的设计、开发、应用和集成。现在,电子信息工程已经涵盖了社会的诸多方面,像电话交换局里怎么处理各种电话信号,手机是怎样传递我们的声音甚至图像的,我们周围的网络怎样传递数据,甚至信息化时代军队的信息传递中如何保密等都要涉及电子信息工程的应用技术。我们可以通过一些基础知识的学习认识这些东西,并能够应用更先进的技术进行新产品的研究和开发。 电子信息工程专业主要是学习基本电路知识,并掌握用计算机等处理信息的方法。首先要有扎实的数学知识,对物理学的要求也很高,并且主要是电学方面;要学习许多电路知识、电子技术、信号与系统、计算机控制原理、通信原理等基本课程。学习电子信息工程自己还要动手设计、连接一些电路并结合计算机进行实验,对动手操作和使用工具的要求也是比较高的。譬如自己连接传感器的电路,用计算机设置小的通信系统,还会参观一些大公司的电子和信息处理设备,理解手机信号、有线电视 随着社会信息化的深入,各行业大都需要电子信息工程专业人才,而且薪金很高。学生毕业后可以从事电子设备和信息系统的设计、应用开发以及技术管理等。比如,做电子工程师,设计开发一些电子、通信器件;做软件工程师,设计开发与硬件相关的各种软件;做项目主管,策划一些大的系统,这对经验、知识要求很高;还可以继续进修成为教师,从事科研工作等。 设置这个专业的高校非常多,清华大学的电子工程系设有该专业,并实行六年计划年限的本科—硕士统筹培养计划。北京邮电大学也是主要培养该类人才的学校。一般的理工科院校和综合性大学都设置了该专业,都很热门,录取分数线相对其他专业而言偏高。 电子信息的就业我觉得不错 虽然不象是02 年左右的就业率那么高 但是也可以看到电子这两年的全国总体就业不是 很好! 但是总体不好我们学校电子有这样的就业我觉得 已经很不错了 一般的班级会有十个以上找到工作的,而且都是签在 长三角和珠三角经济发达地带 上海深圳东莞等。 我们可以看看本省的其他高校吧 合肥工业大学很牛至少在本省((科大就不用说了 它的就业应该很好因为我知道他们学校的就业工作作的非常的好 付出很多精力和资金所以有很多公司企业到他们学校招聘应届生 他们的应届生质量也是很好, 安徽大学是211 但是在理工科可以说不行我觉得顶多和我们学校差不多 我有个高中同学在安徽大学电子信息工程他们的就业就一踏糊涂而且我觉得 他们学校的学风也不是很好我去过几次印象很不好对安徽大学。 但是安徽大学也有优势的,,,这个也不用说了 我是02级电子的,(工作在上海),, 我不喜欢淮南 但是我对安理是有感情的 我觉得只要付出了就会有回报,一定要肯花时间 现在我们电子有不少找不到工作的就是例子 现在花点时间免得以后后悔。 热门分析:本专业是一个电子和信息工程方面的较宽口径专业,本专业学生主要学习信号的获取与处理,电子设备与信息系统等方面的专业知识,受到电子信息工程实践的基本训练,他将是人类进入21世纪信息时代的有力推动者。 就业前景:主要从事各类电子设备和信息系统的研究、设计、制造、应用和开发工作。 就业分布最多的五省市:北京、广东、江苏、上海、天津 毕业生就业分布统计: 国有企业:17% 民营及私营企业:79% 机关:50% 录取研究生:33% 科研设计单位:83% 其他事业单位:90% 三资企业:55% 高等学校:15% 部队:67% 出国:62% 中小学及其他教学单位:92% 金融单位:69% 医疗卫生单位:07% 注:本专业的各方向及就业率分别是电子工程24%、应用电子技术98%、信息工程36%。电磁场与微波技术10%、广播电视工程75%、电子信息工程17%、无线电技术与信息系统54%、电子与信息技术29%、摄影测量与遥感8%、公共安全图像技术100% 毕业生应具备的能力:较系统地掌握专业领域宽广的技术基础理论知识,适应电子和信息工程方面广泛的工作范围;掌握电子电路的基本理论和实验技术,具备分析和设计电子设备的能力:掌握信息获取、处理的基本理论和应用的一般方法,具有设计、集成、应用及计算机模拟信息系统的基本能力;了解信息产业的基本方针、政策和法规,了解企业管理的基本知识;了解电子设备和信息系统的理论前沿,就有研究、开发新系统、新技术的初步能力;掌握文献检索、资料查询的基本方法,具有一定的科学研究和实际工作能力。 主要课程:电路理论系列课程、计算机技术系列课程、信息理论与编码、信号与系统、数字信号处理、电磁场理论、自动控制理论、感测技术等。 主干学科:电子科学与技术、信息与通信工程、计算机科学与技术。 专业实验:至少完成本专业某一方向的一组专业实验; 授予学位:工学学士 相近专业:通信工程
国家标准GB/T 38540—2020《信息安全技术 安全电子签章密码技术规范》对电子印章进行了定义,一种由电子印章制章者数字签名的安全数据,包括电子印章所有者信息和图形化内容的数据,用于安全签署电子文件。其中,电子印章所有者信息通常是以数字证书展示,数字证书是CA机构应当事人申请,在严格按照电子认证业务规则对申请人身份与某字符串的关联性认证后,为当事人颁发的证书,类似于身份证,包含颁发者、使用者、有效期、字符串等信息,可以证明当事人身份;图形化内容,指的是印章图样,能够直观辨认用章人,符合用印人以及其他当事人的用印习惯。查阅裁判文书网,电子印章被盗用,给当事人造成损失的案例不在少数,电子印章本质上来说属于电子数据,不似传统实体印章的物理保管、登记审批用印的管理模式,电子印章极容易产生无痕盗用风险。因此,企业考虑引入电子印章系统实现数字化转型的时候,不能只考虑到电子用印的便捷性,更应该注重电子印章管理与使用的安全性,从合规风控的角度建设企业的信息系统。
在电子产品微型化、多功能化的发展趋势下,单个焊点所承载的电流密度和焊点的服役温度与日俱增,这就给微电子封装焊点的可靠性带来了巨大的挑战。电迁移失效作为微电子产品一种新的失效形式,而逐渐引起广泛的关注。电迁移效应的物理本质是在电子风力驱使下,焊点中的原子沿着电子流方向由阴极不断向阳极迁移的现象。 电迁移效应加速电子元器件的失效,缩短了电子产品的有效使用寿命,严重的影响了微电子封装焊点的可靠性。 基于以上研究,本文采用引线对接焊点为研究对象,在排除电流拥挤效应和焦耳热效应对电迁移效应造成干扰的前提下,首先研究了在78×10~4A/cm~2电流密度、100℃和125℃条件下加载对Cu/Sn-0Ag-5Cu/Cu焊点可靠性的影响。结果发现电流加载下阳极和阴极界面IMC的生长呈现明显的极性效应,阳极界面IMC的生长被增强,阴极界面IMC的生长被抑制。 认为是Cu原子的扩散主导界面IMC的生长,在电子风力、化学势梯度和背应力三者的综合作用下,阳极界面IMC的生长与加载时间呈抛物线关系。焊点的抗拉强度随着加载时间迅速下降,断裂模式由纯剪切断裂转为微孔聚集型断裂,并最终向脆性断裂转变,断裂位置由钎料中向阴极界面处转移。 作为对比分析研究了Cu/Sn-0Ag-5Cu/Cu焊点在100℃、125℃、150℃等温时效对焊点可靠性的影响。结果表明界面IMC随时效时间的延长而不断生长,时效温度越高界面IMC的生长速率越大,约为相同温度下电迁移试样阳极界面IMC生长速率的1/30。时效时间延长,焊点的抗拉强度下降,其下降速率约为相同温度下电迁移试样的1/9。高温长时间时效,界面处有Kirkendall空洞出现。焊点的断裂模式由纯剪切断裂变为微孔聚集型断裂,但断裂位置始终位于钎料中。同时还研究了Cu/Sn-0Ag-5Cu/Ni焊点在130℃等温时效过程中界面IMC的生长情况,发现母材Ni侧的界面IMC的生长速率比母材Cu侧稍慢,界面IMC的成分十分复杂。最后对Cu/Sn-9Zn/Cu焊点在78×10~4A/cm~2电流密度、125℃加载条件下的电迁移现象进行了研究,发现了阴极和阳极界面IMC都增厚,且阴极界面IMC生长速率更大的异常现象。 分析界面IMC成分后认为,是由Sn原子的扩散主导IMC的生长导致的