图的上半部分分为P型半导体和N型半导体界面两侧的载流子扩散(用黑色箭头表示)。中间部分是PN结的形成过程，表示载流子的扩散效应大于漂移效应(蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场方向)。下部是PN结的形成。
半导体分类方法多种：本征半导体和杂质半导体，本征半导体是纯净半导体，杂质半导体是人为掺杂的半导体。杂质半导体有分为N型半导体（电子是多数载流子）和P型半导体（空穴是多数载流子）。按出来分主要有硅和锗这两种半导体。
杂质半导体：一种是掺有施主杂质的n型半导体，一种是掺有受主杂质的p型半导体，还有一种是既掺有施主杂质、又掺有受主杂质的补偿型半导体——这种半导体虽然掺入了大量杂质，但是它的电导率很低，类似于本征半导体。
半导体的导电能力很弱，热稳定性也很差，因此，不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P
二、P型半导体 P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。形成 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，
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