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提示: 排序：无线电电子学、电信技术 - 第25位 本刊收录在： 中文核心期刊要目总览(2011年版)提示: 排序：电子技术、通信技术类 - 第23位 主题分类：Material Science and Metallurgy: General and Others TN：
N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理 掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，
半导体的全部类型有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、
一般是1-2篇的要求，研究生一篇就OK了。之前我也是苦于发表不出来，文章质量太次，那个急啊，还是学长给的莫‘文网，帮忙修改的文章，很快就录用了
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