对于半导体来说，电离能即为将电子从价带顶移到真空能级所需的最小能量I = χs+Eg其中I 为电离能，χs为电子亲合能，Eg为价带顶到导带底的能量差。
其实这两个概念的差别还是十分大的，电离能针对的是原子，表征的是原子的性质，而禁带宽度却是描述固体的，从微观上看他们之间还有一些联系的但是差别还是很大，所以个人认为这是两个不同领域的问题在一起讨论着实没有必要。
电子或空穴跃迁，需要能量一般大于或者等于禁带宽度的能量，浅能级杂质由于处于禁带当中，能够吸收或者放出小于禁带宽度的能量。
由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，
对于半导体来说，电离能即为将电子从价带顶移到真空能级所需的最小能量 I = χs+Eg 其中I 为电离能，χs为电子亲合能，Eg为价带顶到导带底的能量差。
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